曉林電腦分享給大家固態(tài)硬盤的存儲技術原理
固態(tài)驅動器( SSD )是一種固態(tài)存儲設備，它使用集成電路組件來持久存儲數(shù)據，通常使用閃存，并在計算機存儲層次結構中用作輔助存儲。它有時也被稱為半導體存儲設備、固態(tài)設備或固態(tài)磁盤，盡管 SSD 缺少硬盤驅動器 (HDD)中使用的物理旋轉磁盤和可移動讀寫頭和軟盤。
與機電驅動器相比，SSD 通常更能抵抗物理沖擊、無聲運行，并且具有更高的IOPS和更低的延遲。 SSD 將數(shù)據存儲在半導體單元中。截至 2019 年，單元格可以包含 1 到 4位數(shù)據。SSD 存儲設備的屬性根據每個單元中存儲的位數(shù)而有所不同，單比特單元（“單級單元”或“SLC”）通常是最可靠、耐用、快速和昂貴的類型，與2位和 3 位單元（“Multi-Level Cells/MLC”和“Triple-Level Cells/TLC”），最后是四位單元通過改變單元的電阻來存儲數(shù)據，而不是在單元中存儲電荷，而由RAM制成的 SSD可用于高速，當斷電后數(shù)據保持不需要，或者在其常用電源不可用時可以使用電池電源來保留數(shù)據?；旌向寗悠骰蚬虘B(tài)混合驅動器(SSHD)，例如將 SSD 和 HDD 的功能結合在同一單元中，同時使用閃存和 HDD，以提高頻繁訪問數(shù)據的性能。允許純粹在軟件中實現(xiàn)類似的效果，使用專用的常規(guī) SSD 和 HDD 的組合。
如果長時間不通電，基于NAND閃存的SSD會隨著時間的推移慢慢泄漏電荷。這會導致磨損的驅動器（已超過其耐用等級）通常在存儲一年（如果存儲在 30°C）到兩年（如果存儲在 25°C）后開始丟失數(shù)據；對于新驅動器，它需要更長的時間。因此，SSD 不適合歸檔存儲。3D XPoint可能是此規(guī)則的一個例外；它是一種相對較新的技術，具有未知的長期數(shù)據保留特性。
SSD 可以使用傳統(tǒng)的 HDD 接口和外形尺寸，或者利用 SSD 中閃存的特定優(yōu)勢的更新接口和外形尺寸。傳統(tǒng)接口（例如SATA和SAS）和標準HDD外形尺寸允許此類 SSD 用作計算機和其他設備中 HDD 的直接替代品。較新的外形尺寸，例如Msata、mSATA、M2、U2、、NF1、XFMEXPRESS 和EDSFF（以前稱為Ruler SSD）以及更高速度的接口，例如NVM Express (NVMe) 超過與HDD性能相比，PCI Express (PCIe) 可以進一步提高性能。
SSD 的寫入次數(shù)有限，并且在達到其全部存儲容量時也會變慢。
企業(yè)級閃存驅動器( EFD ) 專為需要高 I/O 性能 (IOPS )、可靠性、能源效率以及最近的一致性能的應用而設計。在大多數(shù)情況下，與通常用于筆記本電腦的 SSD 相比，EFD 是具有更高規(guī)格的SSD。EMC 于 2008 年 1 月首次使用該術語，以幫助他們識別能夠提供符合這些更高標準的產品的 SSD 制造商。沒有控制 EFD 定義的標準機構，因此任何 SSD 制造商都可以聲稱生產 EFD，而實際上產品實際上可能不滿足任何特定要求。
(OLTP)等寫入密集型應用需要高耐用性的服務器和存儲平臺進行了優(yōu)化。PX02SS 系列采用 12 Gbit/s SAS 接口，采用 MLC NAND 閃存，隨機寫入速度高達 42,000 IOPS，隨機讀取速度高達 130,000 IOPS，耐久性等級為每天 30 次驅動器寫入 (DWPD)。
基于 3D XPoint 的 SSD 具有更高的隨機性（更高的 IOPS），但比其 NAND 閃存對應物更低的順序讀/寫速度。它們的 IOPS 最高可達250 萬。
使用其他持久內存技術的驅動器
架構和功能
SSD 的關鍵組件是控制器和存儲數(shù)據的內存。SSD 中的主要內存組件傳統(tǒng)上是DRAM易失性內存，但自 2009 年以來，它更常見的是NAND閃存非易失性內存。
控制器
每個 SSD 都包含一個控制器，該控制器集成了將 NAND 內存組件連接到主機的電子設備?？刂破魇菆?zhí)行固件級代碼的嵌入式處理器，是SSD 性能最重要的因素之一?？刂破鲌?zhí)行的一些功能包括：
· 壞塊映射
· 讀寫緩存
· 加密
· 加密粉碎
· 通過幻象碼（ECC）進行錯誤檢測和糾正，例如BCH碼
· 垃圾收集
· 總計清理和總計干擾管理
· 磨損均衡
SSD 的性能可以隨著設備中使用的并行 NAND 閃存芯片的數(shù)量而擴展。由于狹窄的（8/16 位）異步I/O接口以及基本I/O 操作的額外高延遲（對于 SLC NAND 而言，通常需要 約25 ps從讀取時將陣列寫入 I/O 緩沖區(qū)，約 250 μs 將IO 緩沖區(qū)中的 4 KiB 頁面提交到寫入時的陣列，約 2ms 可擦除 256 KiB 塊）。當多個 NAND 設備在 SSD 內并行運行時，帶寬會擴展，并且可以隱藏高延遲，只要有足夠的未完成操作待處理并且負載在設備之間均勻分布。
美光和英特爾最初通過在其架構中實施數(shù)據條帶化（類似于RAID 0）和交錯來制造更快的 SSD 。這使得在 2009 年可以使用 SATA 3 Gbit/s 接口創(chuàng)建具有 250 MB/s 有效讀/寫速度的 SSD。兩年后，SandForce繼續(xù)利用這種并行閃存連接，發(fā)布了消費級 SATA 6 Gbit /s SSD 控制器，支持 500 MB/s 讀/寫速度。 SandForce控制器在將數(shù)據發(fā)送到閃存之前對其進行壓縮。此過程可能會導致更少的寫入和更高的邏輯吞吐量，具體取決于數(shù)據的可壓縮性
